در این مقاله می خواهیم یک آنتن پهن باند با قطبش دایروی طراحی نماییم. اگر امپدانس بار بهینه تقویت کننده در فرکانس های مختلف، به هم نزدیک باشند، می توان آنتن را به عنوان بار بهینه برای تقویت کننده به کار گرفت. در حالی که در این مقاله خروجی آنتن پس از اعمال سیگنال در باند فرکانسی S بررسی شده است و اثرات تابش آنتن بر روی بخش مدارات تطبیق تقویت کننده تا حدودی در نظر گرفته شده است.

در این مقاله، یک آنتن جدید چهارتایی شکافی فشرده برای به کارگیری در گیرنده های GPS ارائه شده است. ساختار آنتن از چهار عنصر تشعشعی شکافی نیم طول موج با یک نوار اتصال کوتاه تشکیل شده است که با اختلاف فازی 90 درجه نسبت به یکدیگر تغذیه می شوند. ابعاد آنتن ارائه شده mm3 24×24×12 است که در مقایسه با بسیاری از آنتن های ارائه شده تاکنون بسیار کوچک تر است. همچنین آنتن پیشنهادی دارای خلوص قطبش راست گرد بسیار خوبی در زوایای افقی است که باعث افزایش احتمال رویت ماهواره های GPS و درنتیجه رسیدن به دقت بهتر در مکان یابی می گردد. علیرغم ساختار فشرده، آنتن دارای بهره مناسب 2.44 dB است که در مقایسه با سایر آنتن های معرفی شده تاکنون، بیش تر است. همچنین یک شبکه تغذیه بسیار فشرده با ساختار چند لایه برای تغذیه مناسب آنتن طراحی و ارائه شده است. ساختار ساده، وزن کم، ابعاد فشرده، قطبش دایروی و بهره بالا، این آنتن را گزینه بسیار مناسبی برای به کارگیری در گیرنده های GPS قرار داده است.

در این مقاله، بر اساس روابط تئوری و تجربی، یک نمونه آنتن میله دی الکتریک با قطبش دوگانه دایروی هم زمان در باند ISM طراحی، شبیه سازی و ساخته شده است. به منظور بهبود پارامترهای تشعشعی برای اولین بار طرح ایجاد شیار روی میله دی-الکتریک پیاده شده است. ایجاد قطبش دایروی دوگانه در آنتن طراحی شده، توسط دو پروب متعامد صورت می گیرد که با تولید اختلاف فاز 90 درجه بین دو درگاه توسط یک هیبرید 90 درجه، می تواند قطبش های چپ گرد و راست گرد دایروی را فراهم نماید. ضریب دی الکتریک ماده استفاده شده در میله با توجه به نتایج ساخت برابر 4/2 تخمین زده شده است. با توجه به محدودیت در قطر میله دی الکتریک و به منظور بهبود پارامترهای تشعشعی طرح جدیدی معرفی و همچنین دو شیار روی میله دی الکتریک ایجاد شده است. نتایج شبیه سازی نشان می دهد که استفاده از طرح جدید در مجموع موجب کاهش dB4 در اندازه گلبرگ فرعی می شود. مطابق نتایج اندازه گیری، آنتن ساخته شده دارای بازگشتی کمتر از dB10- برای هر دو درگاه و ایزولاسیون کمتر از dB4/16- بین دو درگاه است. همچنین، در فرکانس مرکزی پهنای پرتو نیم توان برابر 2/29 درجه و سطح گلبرگ فرعی dB8/13 اندازه گیری شد. نسبت محوری آنتن برای هر دو قطبش چپ گرد و راستگرد در محدوده فرکانسی مورد نظر کمتر از dB3 است.

در این مقاله طراحی، شبیه سازی و ساخت آنتن فابری پرو تشدیدی با قطبش دایروی راستگرد در فرکانس GHz 5/14 ارائه می شود. بر مبنای روش خط انتقال رولایه آنتن به گونه ای طراحی شده است که به طور همزمان افزایش بهره و قطبش دایروی موج را تحقق می بخشد. رولایه پیشنهادی شامل حلقه مربعی و خطوط خمیده به ترتیب در سطوح بالا و پایین می باشد. به منظور تحقق شرط تشدید مولفه های متعامد میدان الکتریکی و دستیابی به قطبش دایروی، در صفحه زمین آنتن از شکاف مستطیلی استفاده شده است. ابعاد شکاف ها به گونه ای است که عملکرد صفحه زمین به صفحه زمین ایده آل نزدیک تر بوده و انتقال توان شکاف ها ناچیز باشد تا گلبرگ پشتی آنتن کم باشد. آنتن منبع، یک آنتن پچ با قطبش خطی بوده که جهت تولید مولفه های متعامد میدان الکتریکی به میزان 43 چرخیده است. آنتن دارای dB16 بهره بوده و پهنای باند 2VSWR< و dB 3AR< آنتن به ترتیب 7/1% و 7% می باشد. آنتن با ابعاد mm295×95 (λ 4×λ 4) ساخته شده و تطابق خوبی میان نتایج شبیه سازی و ساخت وجود دارد.

1در این مقاله با استفاده از تکنیک هولوگرافیک، یک آنتن موج نشتی مبتنی بر فناوری شبه پلاسمونیکی با قطبش دایروی طراحی شده است. برای کنترل کردن قطبش پرتوی تابشی ساختار موج نشتی، اولین بار با استفاده از یک سلول واحد ناهمسانگرد (دارای شکل صلیبی) بدون صفحه زمین، سطح امپدانسی (هولوگرام) پیاده سازی شود. برای ناهمساگرد کردن سلول واحد پیشنهادی از ترکیب روابط تبدیل نوری و الگوریتم بهینه سازی ازدحام ذرات استفاده شده است. تغییر ابعاد دو بازوی صلیب و زاویه چرخش صلیب، اجزا موردنیاز تانسور امپدانس سطح برای تحقق هولوگرام را تعیین می کند. میزان بهره واقعی، بازده تشعشعی، سطح گلبرگ جانبی و پهنای باند نسب محوری به ترتیب 15.3dBi، 82%، -11dBو 11.8% می باشد. میزان مرور زاویه ای 15 درجه با تغییر فرکانس از 16 تا 18 گیگاهرتز به دست آمده است. نتایج شبیه سازی با استفاده از نرم افزارهای متلب و CST آورده شده است.

در این مقاله راه حلی برای کاهش ارتفاع آنتن های دوقطبی مغناطیسی الکتریکی با استفاده از ساختار هادی مغناطیسی مصنوعی به عنوان صفحه زمین آنتن ارائه شده است. در این تحقیق دو نوع آنتن مورد بررسی قرار گرفت: آنتن اول با قطبش خطی و آنتن دوم با قطبش دایروی راستگرد است. در آنتن با قطبش خطی، یک آرایه 7×7 از سلول های رسانای مغناطیسی مصنوعی (AMCs) در فرکانس 3.5 گیگاهرتز طراحی شد و روی صفحه زمین آنتن قرار گرفت. با افزودن هادی مغناطیسی مصنوعی، ارتفاع آنتن اول به  λ0.16 کاهش یافت. نتایج شبیه سازی نشان می دهد که پهنای باند امپدانس برای مقادیر |S11|<[-10dB] برابر با 1.9 گیگاهرتز از فرکانس 2.3 گیگاهرتز تا 4.2 گیگاهرتز (58.46 درصد) است، در حالی که پهنای باند امپدانس اندازه گیری شده نمونه ساخته شده برابر با 2.13 گیگاهرتز از فرکانس 2.21 گیگاهرتز تا 4.34 گیگاهرتز (65.03 درصد) است.آنتن دوم یک آنتن دوقطبی مغناطیسی الکتریکی با قطبش دایروی راستگرد است که توسط یک خط تغذیه Y شکل تغذیه می شود. با استفاده از یک آرایه 5×5 AMC در صفحه زمین آنتن، ارتفاع آن به λ 0.13 کاهش یافت. پهنای باند امپدانس حاصل از شبیه سازی برای مقادیر |S11|<[-10dB] برابر است با 1.24 گیگاهرتز از فرکانس 2.46 گیگاهرتز تا فرکانس 3.7 گیگاهرتز (40.25%)، در حالی که پهنای باند حاصل از اندازه گیری نمونه ساخته شده برابر با 1.3 گیگاهرتز از فرکانس 2.38 گیگاهرتز تا فرکانس 3.68 گیگاهرتز (44.52%) می باشد.